- RS Best.-Nr.:
- 864-8855
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH40T120SMD
- Marke:
- onsemi
- RS Best.-Nr.:
- 864-8855
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH40T120SMD
- Marke:
- onsemi
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Produktdetails
Diskrete IGBTs, 1000 V und mehr, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±25V |
Verlustleistung max. | 555 W |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
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