- RS Best.-Nr.:
- 145-4162
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3666-3-TB-E
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 145-4162
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3666-3-TB-E
- Marke:
- ON Semiconductor
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal-JFET, ON Semiconductor
JFET-Transistoren
Eine Serie von diskreten JFET- und HEMT/HFET-Halbleitern.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
IDS Drain-Source-Abschaltstrom | 1.2 to 3mA |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Drain-Gate-Spannung max. | -30V |
Konfiguration | Single |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Drain-Source-Widerstand max. | 200 Ω |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | CP |
Pinanzahl | 3 |
Drain Gate Kapazität | 4pF |
Source Gate Kapazität | 1.1pF |
Abmessungen | 2.9 x 1.5 x 1.1mm |
Höhe | 1.1mm |
Länge | 2.9mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 1.5mm |