- RS Best.-Nr.:
- 163-0963
- Herst. Teile-Nr.:
- MMBFJ177LT1G
- Marke:
- onsemi
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- MMBFJ177LT1G
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- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
P-Kanal-JFET, ON Semiconductor
JFET-Transistoren
Eine Serie von diskreten JFET- und HEMT/HFET-Halbleitern.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
IDS Drain-Source-Abschaltstrom | 1.5 to 20mA |
Drain-Gate-Spannung max. | 25V dc |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Konfiguration | Single |
Drain-Source-Widerstand max. | 300 Ω |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Pinanzahl | 3 |
Source Gate Kapazität | 11pF |
Abmessungen | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 1.4mm |
Höhe | 1.01mm |
Länge | 3.04mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 163-0963
- Herst. Teile-Nr.:
- MMBFJ177LT1G
- Marke:
- onsemi