- RS Best.-Nr.:
- 760-3126P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK209-Y(TE85L,F)
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-JFET, Toshiba
JFET-Transistoren
Eine Serie von diskreten JFET- und HEMT/HFET-Halbleitern.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
IDS Drain-Source-Abschaltstrom | 1.2 to 3.0mA |
Drain-Source-Spannung max. | 10 V |
Gate-Source Spannung max. | -30 V |
Drain-Gate-Spannung max. | -50V |
Konfiguration | Single |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SOT-346 (SC-59) |
Pinanzahl | 3 |
Abmessungen | 2.9 x 1.5 x 1.1mm |
Breite | 1.5mm |
Länge | 2.9mm |
Betriebstemperatur max. | +125 °C |
Höhe | 1.1mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 760-3126P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK209-Y(TE85L,F)
- Marke:
- Toshiba
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