OSRAM, IR-Diode, ±8°, SFH 4855, 860nm, 110mW/sr, 2-Pin, Durchsteckmontage, TO18 35mW

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

IR-Sender mit TO-18-Metallgehäuse von OSRAM

Eine Produktfamilie von Infrarot (IR)-LEDs von OSRAM Opto Semiconductors ist in TO-18-Metallgehäusen untergebracht. Ihre durchkontaktierten Metallgehäuse sind hermetisch abgedichtet. Mit den TO-18-IR-LEDs sind kurze Schaltzeiten möglich. Sie bieten außerdem eine spektrale Übereinstimmung mit Silizium-Fotodetektoren. Fotointerruptoren, Sensortechnik und Lichtschranken sind geeignete Anwendungen für die TO-18-IR-LEDs.

Eigenschaften der TO-18-IR-LEDs:
Durchmesser: 4,3 mm oder 4,8 mm
Durchkontaktiertes Metallzylindergehäuse
Luftdichte Abdichtung
Vielzahl von Wellenlängen

IR-Sender, OSRAM Opto Semiconductors

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Wellenlänge Spitze 860nm
Gehäusetyp TO18
Strahlstrom 35mW
Strahlungsstärke 110mW/sr
Montage Typ Durchsteckmontage
Halbwertswinkel ±8°
Anzahl der LEDs 1
Anzahl der Pins 2
Abmessungen 5.4 (Dia.) x 7.3mm
Linsenform Dom
Versorgungsspannung max. 3.6V
200 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
320 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
2,749
(ohne MwSt.)
3,271
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90
2,749 €
27,49 €
100 - 240
1,779 €
17,79 €
250 - 490
1,399 €
13,99 €
500 - 990
1,225 €
12,25 €
1000 +
1,027 €
10,27 €
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: