- RS Best.-Nr.:
- 178-633
- Herst. Teile-Nr.:
- RSU002P03T106
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 250 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | SOT-323 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 1,4 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Verlustleistung max. | 200 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 2mm |
Breite | 1.25mm |
Höhe | 0.8mm |
- RS Best.-Nr.:
- 178-633
- Herst. Teile-Nr.:
- RSU002P03T106
- Marke:
- ROHM
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