- RS Best.-Nr.:
- 185-580
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK4017(Q)
- Marke:
- Toshiba
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- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | PW Form2 |
Serie | 2SK |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Verlustleistung max. | 20 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Länge | 6.5mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 2.3mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 5.5mm |
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