Teile-Nr.
Elektronische Bauelemente, Stromversorgung und Steckverbinder
Elektromechanik, Automation und Kabel
Mechanikkomponenten, Werkzeug- und Laborbedarf
IT, Messtechnik, Schutz- und Sicherheitsprodukte

HEXFET IRLML6402TRPBF P-Kanal MOSFET, 20 V / 3,7 A, 1,3 W, SOT-23 3-Pin

RS Best.-Nr.:
301-322P
Herst. Teile-Nr.:
IRLML6402TRPBF
Marke:
Infineon
Infineon

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IRLML6402TRPBF
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Infineon

Rechtliche Anforderungen


Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 20 V, Infineon




Technische Daten

EigenschaftWert
Channel-TypP
Dauer-Drainstrom max.3,7 A
Drain-Source-Spannung max.20 V
GehäusegrößeSOT-23
Montage-TypSMD
Pinanzahl3
Drain-Source-Widerstand max.65 mΩ
Channel-ModusEnhancement
Gate-Schwellenspannung max.1.2V
Gate-Schwellenspannung min.0.4V
Verlustleistung max.1,3 W
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.-12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Gate-Ladung typ. @ Vgs8 nC @ 5 V
Betriebstemperatur min.-55 °C
Länge3.04mm
Betriebstemperatur max.+150 °C
Höhe1.02mm
Transistor-WerkstoffSi
SerieHEXFET
Breite1.4mm
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