HEXFET IRLML6402TRPBF P-Kanal MOSFET, 20 V / 3,7 A, 1,3 W, SOT-23 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 301-322P
  • Herst. Teile-Nr. IRLML6402TRPBF
  • Marke Infineon
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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 20 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 3,7 A
Drain-Source-Spannung max. 20 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 65 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 1.2V
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V
Verlustleistung max. 1,3 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. -55 °C
Serie HEXFET
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 3.04mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 8 nC @ 5 V
Transistor-Werkstoff Si
Breite 1.4mm
Höhe 1.02mm
157115 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt
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250 - 495
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500 - 2495
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