2SJ668(TE16L,NQ) P-Kanal MOSFET, 60 V / 5 A, 20 W, PW Form 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 415-174
  • Herst. Teile-Nr. 2SJ668(TE16L,NQ)
  • Marke Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

MOSFET-P-Kanal, 2SJ-Serie, Toshiba

MOSFET-Transistoren, Toshiba

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 5 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße PW Form
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 170 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2V
Verlustleistung max. 20 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 5.5mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 15 nC @ 10 V
Höhe 2.3mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 6.5mm
Transistor-Werkstoff Si
40 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
240 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
0,596
(ohne MwSt.)
0,709
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40
0,596 €
5,96 €
50 - 190
0,465 €
4,65 €
200 - 490
0,448 €
4,48 €
500 - 990
0,436 €
4,36 €
1000 +
0,425 €
4,25 €
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: