- RS Best.-Nr.:
- 415-174P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ668(TE16L,NQ)
- Marke:
- Toshiba
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 415-174P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ668(TE16L,NQ)
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
MOSFET-P-Kanal, 2SJ-Serie, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | PW Form |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 170 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
Verlustleistung max. | 20 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 5.5mm |
Länge | 6.5mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Höhe | 2.3mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |