2SJ668(TE16L,NQ) P-Kanal MOSFET, 60 V / 5 A, 20 W, PW Form 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 415-174P
  • Herst. Teile-Nr. 2SJ668(TE16L,NQ)
  • Marke Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

MOSFET-P-Kanal, 2SJ-Serie, Toshiba

MOSFET-Transistoren, Toshiba

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 5 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße PW Form
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 170 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2V
Verlustleistung max. 20 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Höhe 2.3mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 6.5mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 15 nC @ 10 V
Breite 5.5mm
2600 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt
0,53
(ohne MwSt.)
0,63
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
50 - 190
0,53 €
200 - 490
0,464 €
500 - 990
0,415 €
1000 +
0,398 €
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
Verpackungsoptionen: