BSH105,215 N-Kanal MOSFET, 20 V / 1,05 A, 417 mW, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 509-273
  • Herst. Teile-Nr. BSH105,215
  • Marke Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 1,05 A
Drain-Source-Spannung max. 20 V
Gehäusegröße SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 200 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 0.85V
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V
Verlustleistung max. 417 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 1.4mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 3,9 nC @ 4,5 V
Höhe 1mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 3mm
460 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
1080 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 20)
0,254
(ohne MwSt.)
0,295
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 20
0,254 €
5,08 €
40 - 80
0,173 €
3,46 €
100 - 180
0,109 €
2,18 €
200 - 380
0,106 €
2,12 €
400 +
0,104 €
2,08 €
*Bitte VPE beachten