BSS138LT1G N-Kanal MOSFET, 50 V / 200 mA, 225 mW, SOT-23 3-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CZ
Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 50V, ON Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 200 mA
Drain-Source-Spannung max. 50 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 3,5 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V
Verlustleistung max. 225 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Länge 2.9mm
Breite 1.3mm
Höhe 0.94mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. –55 °C
117000 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,034
(ohne MwSt.)
0,04
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 12000
0,034 €
102,00 €
15000 +
0,033 €
99,00 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.