- RS Best.-Nr.:
- 124-1672
- Herst. Teile-Nr.:
- RFP50N06
- Marke:
- onsemi
Voraussichtlich ab 08.07.2024 verfügbar.
Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
1,612 €
(ohne MwSt.)
1,918 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
50 - 50 | 1,612 € | 80,60 € |
100 - 450 | 1,366 € | 68,30 € |
500 - 950 | 1,188 € | 59,40 € |
1000 + | 1,153 € | 57,65 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 124-1672
- Herst. Teile-Nr.:
- RFP50N06
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor
Der MegaFET-Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die an integrierte LSI-Schaltkreise heranreichen, sorgt für die optimale Nutzung von Silizium, was zu einer hervorragenden Leistung führt.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 50 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | TO-220AB |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 22 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 131 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 125 nC @ 20 V |
Länge | 10.67mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 4.83mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Serie | MegaFET |
Höhe | 9.4mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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