BS170 N-Kanal MOSFET, 60 V / 500 mA, 830 mW, TO-92 3-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: GB
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor

Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 500 mA
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Drain-Source-Widerstand max. 5 Ω
Gate-Schwellenspannung max. 3V
Gate-Schwellenspannung min. 0.8V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße TO-92
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 830 mW
Länge 5.2mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +150 °C
Transistor-Werkstoff Si
Höhe 5.33mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Breite 4.19mm
4000 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In in einem Beutel mit 1000)
0,086
(ohne MwSt.)
0,102
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Beutel*
1000 - 2000
0,086 €
86,00 €
3000 +
0,07 €
70,00 €
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