- RS Best.-Nr.:
- 124-6820
- Herst. Teile-Nr.:
- RSD140P06TL
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 14 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | SOT-428 |
Serie | RSD140P06 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 108 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 20 W |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Breite | 5.5mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
Länge | 6.5mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Höhe | 2.3mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
- RS Best.-Nr.:
- 124-6820
- Herst. Teile-Nr.:
- RSD140P06TL
- Marke:
- ROHM
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