SCH2080KE SCH2080KEC N-Kanal MOSFET, 1200 V / 40 A, 262 W, TO-247 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 124-6847
  • Herst. Teile-Nr. SCH2080KEC
  • Marke ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: PH
Produktdetails

MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 40 A
Drain-Source-Spannung max. 1200 V
Gehäusegröße TO-247
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 125 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 1.6V
Verlustleistung max. 262 W
Gate-Source Spannung max. -6 V, +22 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 15.9mm
Länge 20.95mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 106 nC @ 18 V
Höhe 5.03mm
Serie SCH2080KE
Betriebstemperatur max. +175 °C
Diodendurchschlagsspannung 1.3V
Transistor-Werkstoff SiC
5 lieferbar innerhalb von 5 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück
32,11
(ohne MwSt.)
37,25
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 4
32,11 €
5 - 9
28,90 €
10 - 24
26,28 €
25 - 49
24,08 €
50 +
22,22 €
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
Verpackungsoptionen: