SCT2120AF SCT2120AFC N-Kanal MOSFET, 650 V / 29 A, 165 W, TO-220AB 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 124-6852
  • Herst. Teile-Nr. SCT2120AFC
  • Marke ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: PH
Produktdetails

MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 29 A
Drain-Source-Spannung max. 650 V
Gehäusegröße TO-220AB
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 156 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 1.6V
Verlustleistung max. 165 W
Gate-Source Spannung max. -6 V, +22 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Gate-Ladung typ. @ Vgs 61 nC @ 18 V
Höhe 4.45mm
Serie SCT2120AF
Länge 10.26mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
Diodendurchschlagsspannung 4.3V
Transistor-Werkstoff SiC
Breite 8.63mm
Voraussichtlich ab 07.01.2021 verfügbar.
Preis pro: Stück
11,44
(ohne MwSt.)
13,27
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 4
11,44 €
5 - 9
10,30 €
10 - 24
10,16 €
25 - 49
10,03 €
50 +
9,91 €
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
Verpackungsoptionen: