- RS Best.-Nr.:
- 133-2799
- Herst. Teile-Nr.:
- TK20V60W5,LVQ(S
- Marke:
- Toshiba
Nicht mehr im Sortiment
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- 133-2799
- Herst. Teile-Nr.:
- TK20V60W5,LVQ(S
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET N-Kanal, Serie TK2x, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 20 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Gehäusegröße | DFN |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 5 |
Drain-Source-Widerstand max. | 190 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
Verlustleistung max. | 156 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 8mm |
Länge | 8mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Höhe | 0.8mm |
Serie | DTMOSIV |
Diodendurchschlagsspannung | 1.7V |
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