- RS Best.-Nr.:
- 133-2839
- Herst. Teile-Nr.:
- RSD201N10TL
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 20 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | SOT-428 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 84 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 20 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Breite | 5.8mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
Länge | 6.7mm |
Höhe | 2.5mm |
Serie | RSD201N10 |
Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
- RS Best.-Nr.:
- 133-2839
- Herst. Teile-Nr.:
- RSD201N10TL
- Marke:
- ROHM
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