ROHM RYC002N05 RYC002N05T316 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 133-2856
- Herst. Teile-Nr.:
- RYC002N05T316
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 50 V |
| Serie | RYC002N05 |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 9 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 0.8V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V |
| Verlustleistung max. | 350 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V |
| Länge | 3.1mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 1.5mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 1.15mm |
- RS Best.-Nr.:
- 133-2856
- Herst. Teile-Nr.:
- RYC002N05T316
- Marke:
- ROHM
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