- RS Best.-Nr.:
- 145-0959
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17483F4T
- Marke:
- Texas Instruments
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 145-0959
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17483F4T
- Marke:
- Texas Instruments
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
N-Kanal-Leistungs-MOSFET FemtoFET™, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 1,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | PICOSTAR |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 550 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.1V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.65V |
Verlustleistung max. | 500 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 1.04mm |
Breite | 0.64mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,01 nC @ 4,5 V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Serie | FemtoFET |
Höhe | 0.35mm |