D Series SIHP6N40D-GE3 N-Kanal MOSFET, 400 V / 6 A, 104 W, TO-220AB 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 145-1660
  • Herst. Teile-Nr. SIHP6N40D-GE3
  • Marke Vishay
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: MY
Produktdetails

N-Kanal MOSFET D, Serie Hohe Spannung, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 6 A
Drain-Source-Spannung max. 400 V
Gehäusegröße TO-220AB
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 1 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 3V
Verlustleistung max. 104 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +150 °C
Serie D Series
Höhe 9.01mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Breite 4.65mm
Transistor-Werkstoff Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs 9 nC @ 10 V
Länge 10.51mm
600 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer Stange von 50)
0,807
(ohne MwSt.)
0,96
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50
0,807 €
40,35 €
100 - 200
0,743 €
37,15 €
250 - 450
0,698 €
34,90 €
500 +
0,642 €
32,10 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.