NexFET CSD83325LT N-Kanal MOSFET, 12 V / 8 A, 2,3 W, PICOSTAR 6-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: PH
Produktdetails

N-Kanal-NexFET™-Zweifach-MOSFET, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 8 A
Drain-Source-Spannung max. 12 V
Gehäusegröße PICOSTAR
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 6
Drain-Source-Widerstand max. 23 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 2,3 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. –55 °C
Serie NexFET
Breite 2.2mm
Höhe 0.2mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 8,4 nC @ 4,5 V
Länge 1.15mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Transistor-Werkstoff Si
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 250)
0,334
(ohne MwSt.)
0,397
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
250 +
0,334 €
83,50 €
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