C2M1000170D N-Kanal MOSFET, 1700 V / 5 A, 69 W, TO-247 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 145-6660
  • Herst. Teile-Nr. C2M1000170D
  • Marke Wolfspeed
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.

• Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb

MOSFET-Transistoren, Wolfspeed

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 5 A
Drain-Source-Spannung max. 1700 V
Gehäusegröße TO-247
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 1,4 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 3.1V
Gate-Schwellenspannung min. 2.4V
Verlustleistung max. 69 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -5 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. –55 °C
Transistor-Werkstoff SiC
Höhe 21.1mm
Breite 5.21mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Diodendurchschlagsspannung 3.8V
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13 nC @ 20 V, 13 nC @ 5 V
Länge 16.13mm
270 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer Stange von 30)
4,703
(ohne MwSt.)
5,597
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 120
4,703 €
141,09 €
150 - 270
4,583 €
137,49 €
300 +
4,468 €
134,04 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.