FemtoFET CSD25483F4T P-Kanal MOSFET, 20 V / 1,6 A, 500 mW, PICOSTAR 3-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: MY
Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET FemtoFET™, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 1,6 A
Drain-Source-Spannung max. 20 V
Gehäusegröße PICOSTAR
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 1,07 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 1.2V
Gate-Schwellenspannung min. 0.7V
Verlustleistung max. 500 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Gate-Ladung typ. @ Vgs 0,959 nC @ 4,5 V
Transistor-Werkstoff Si
Breite 0.64mm
Länge 1.04mm
Serie FemtoFET
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. –55 °C
Höhe 0.35mm
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 250)
0,112
(ohne MwSt.)
0,133
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
250 +
0,112 €
28,00 €
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