- RS Best.-Nr.:
- 146-4116
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS86183
- Marke:
- onsemi
Voraussichtlich ab 24.10.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 25)
1,195 €
(ohne MwSt.)
1,422 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
25 - 75 | 1,195 € | 29,875 € |
100 - 475 | 0,942 € | 23,55 € |
500 - 975 | 0,798 € | 19,95 € |
1000 - 2975 | 0,65 € | 16,25 € |
3000 + | 0,63 € | 15,75 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 146-4116
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS86183
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V bis 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 51 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Serie | PowerTrench |
Gehäusegröße | PQFN8 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 12,8 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 63 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Länge | 5mm |
Breite | 5.85mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 1.05mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.3V |
- RS Best.-Nr.:
- 146-4116
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS86183
- Marke:
- onsemi
Verwandte Produkte
- onsemi PowerTrench FDMS86200 N-Kanal 8-Pin PQFN8
- onsemi PowerTrench FDMS86252L N-Kanal 8-Pin PQFN8
- onsemi PowerTrench FDMS86202 N-Kanal 8-Pin PQFN8
- onsemi PowerTrench FDMS86350 N-Kanal 8-Pin PQFN8
- onsemi PowerTrench FDMS86101 N-Kanal 8-Pin PQFN8
- onsemi PowerTrench FDMS86200DC N-Kanal 8-Pin PQFN8
- onsemi PowerTrench FDMS86300 N-Kanal 8-Pin PQFN8
- onsemi PowerTrench FDMS86255 N-Kanal 8-Pin PQFN8