Nexperia PMV30XPEAR P-Kanal, SMD MOSFET –20 V / 5,3 A 5435 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 153-0708
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV30XPEAR
- Marke:
- Nexperia
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Produktdetails
P-Kanal-Trench-MOSFET für 20 V, P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.
Trench MOSFET-Technologie
Sehr schnelle Schaltung
Verbessertes Verlustleistungsvermögen: Ptot = 980 mW
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM
AEC-Q101-qualifiziert
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
High-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen
Sehr schnelle Schaltung
Verbessertes Verlustleistungsvermögen: Ptot = 980 mW
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM
AEC-Q101-qualifiziert
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
High-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 5,3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | –20 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 57 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | -1.25V |
| Gate-Schwellenspannung min. | -0.75V |
| Verlustleistung max. | 5435 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | 12 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 1.4mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 3mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Höhe | 1mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
- RS Best.-Nr.:
- 153-0708
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV30XPEAR
- Marke:
- Nexperia
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