Vishay D Series IRFP460BPBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 20 A 278 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 159-6516
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP460BPBF
- Marke:
- Vishay
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- IRFP460BPBF
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- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal MOSFET D, Serie Hohe Spannung, Vishay Semiconductor
Leistungs-MOSFETs Vishay Serie D
MERKMALE
• Optimale Bauweise
- Niedriger flächenspezifischer Einschaltwiderstand
- Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
- Reduzierte kapazitive Schaltverluste
- Hohe Gehäuse-Diode-Robustheit
- Lawinenenergie (UIS)
• Optimale Effizienz und optimaler Betrieb
- Niedrige Kosten
- Einfacher Gate-Antriebsschaltkreis
- Niedrige Verdienstzahl (FOM): Ron x Qg.
- Schnelles Schalten
• Optimale Bauweise
- Niedriger flächenspezifischer Einschaltwiderstand
- Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
- Reduzierte kapazitive Schaltverluste
- Hohe Gehäuse-Diode-Robustheit
- Lawinenenergie (UIS)
• Optimale Effizienz und optimaler Betrieb
- Niedrige Kosten
- Einfacher Gate-Antriebsschaltkreis
- Niedrige Verdienstzahl (FOM): Ron x Qg.
- Schnelles Schalten
ANWENDUNGEN
• Unterhaltungselektronik
- Displays (LCD- oder Plasma-TV)
• Server- und Telekommunikationsnetzteile
- SMPS
• Industrie
- Schweißen
- Induktionsheizung
- Motorantriebe
• Akkuladegeräte
• SMPS
- Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
• Unterhaltungselektronik
- Displays (LCD- oder Plasma-TV)
• Server- und Telekommunikationsnetzteile
- SMPS
• Industrie
- Schweißen
- Induktionsheizung
- Motorantriebe
• Akkuladegeräte
• SMPS
- Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 20 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
| Serie | D Series |
| Gehäusegröße | TO-247AC |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 250 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 278 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 5.31mm |
| Länge | 15.87mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 20.82mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 159-6516
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP460BPBF
- Marke:
- Vishay
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