NexFET CSD16412Q5A N-Kanal MOSFET, 25 V / 52 A, 3 W, SON 8-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: MY
Produktdetails

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 52 A
Drain-Source-Spannung max. 25 V
Gehäusegröße SON
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 16 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. 1.7V
Verlustleistung max. 3 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -12 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Höhe 1.1mm
Breite 5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 2,9 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. –55 °C
Transistor-Werkstoff Si
Serie NexFET
Länge 5.8mm
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 2500)
0,325
(ohne MwSt.)
0,387
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 - 10000
0,325 €
812,50 €
12500 +
0,317 €
792,50 €
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