MagnaChip MDD3N50GRH N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 2,8 A 45 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET (HV) MOSFET, mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltleistung.

MOSFET-Transistoren, MagnaChip

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	2,8 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2,5 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	45 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	6.73mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	6.22mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	6,75 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung	1.4V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	2.39mm