STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STB12NK80ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 165-5632
- Herst. Teile-Nr.:
- STB12NK80ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 165-5632
- Herst. Teile-Nr.:
- STB12NK80ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 10,5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Serie | MDmesh, SuperMESH |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 750 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 190 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 10.4mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Breite | 9.35mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 4.6mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 165-5632
- Herst. Teile-Nr.:
- STB12NK80ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics