Vishay SI4431CDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,2 A 4,2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 165-7252
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4431CDY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Voraussichtlich ab 13.09.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2500)
0,428 €
(ohne MwSt.)
0,509 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 2500 + | 0,428 € | 1.070,00 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 165-7252
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4431CDY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 7,2 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 49 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 4,2 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Länge | 5mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 4mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Höhe | 1.55mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 165-7252
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4431CDY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Verwandte Produkte
- Vishay TrenchFET SI3477DV-T1-GE3 P-Kanal2 W, 6-Pin TSOP-6
- Vishay SI4435DDY-T1-GE3 P-Kanal1 A 2 8-Pin SOIC
- Vishay SI4925DDY-T1-GE3 P-Kanal Dual 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET SI4447ADY-T1-GE3 P-Kanal2 A, 8-Pin SO-8
- Vishay SI9407BDY-T1-GE3 P-Kanal8 A 5 W, 8-Pin SOIC
- Vishay SI3473CDV-T1-GE3 P-Kanal2 W, 6-Pin TSOP-6
- Vishay SI4564DY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual2 A; 8 A 3 3 8-Pin SOIC
- Vishay SI4403CDY-T1-GE3 P-Kanal4 A 5 W, 8-Pin SOIC