SI4431CDY-T1-GE3 P-Kanal MOSFET, 30 V / 7,2 A, 4,2 W, SOIC 8-Pin

  • RS Best.-Nr. 165-7252
  • Herst. Teile-Nr. SI4431CDY-T1-GE3
  • Marke Vishay
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 7,2 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße SOIC
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 49 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 4,2 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Gate-Ladung typ. @ Vgs 25 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. –55 °C
Länge 5mm
Transistor-Werkstoff Si
Breite 4mm
Höhe 1.55mm
5000 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 2500)
0,251
(ohne MwSt.)
0,299
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +
0,251 €
627,50 €
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