SIPMOS BSS139H6327XTSA1 N-Kanal MOSFET, 250 V / 100 mA, 360 mW, SOT-23 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 166-0926
  • Herst. Teile-Nr. BSS139H6327XTSA1
  • Marke Infineon
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Produktdetails

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 100 mA
Drain-Source-Spannung max. 250 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 14 Ω
Channel-Modus Depletion
Gate-Schwellenspannung max. 1V
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V
Verlustleistung max. 360 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 2.9mm
Transistor-Werkstoff Si
Breite 1.3mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Serie SIPMOS
Höhe 1mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 2,3 nC bei 5 V
9000 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,124
(ohne MwSt.)
0,144
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +
0,124 €
372,00 €
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