Infineon HEXFET IRFS4310ZPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 127 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 166-1007
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4310ZPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFS4310ZPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 127 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 166-1007
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4310ZPBF
Marke:: Infineon

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Ursprungsland:: MX

Produktdetails

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon

Motorsteuerungs-MOSFET

Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.

Synchrongleichrichter-MOSFET

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MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	127 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	6 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	250 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	9.65mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	120 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	4.83mm
Serie	HEXFET
Betriebstemperatur min.	–55 °C

RS Best.-Nr.:: 166-1007
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4310ZPBF
Marke:: Infineon