- RS Best.-Nr.:
- 170-4342
- Herst. Teile-Nr.:
- LND150N3-G
- Marke:
- Microchip
2000 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einem Beutel mit 1000)
0,427 €
(ohne MwSt.)
0,508 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Beutel* |
1000 + | 0,427 € | 427,00 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 170-4342
- Herst. Teile-Nr.:
- LND150N3-G
- Marke:
- Microchip
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus
Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.
Merkmale
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Typische Anwendungen:
Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
Der Microchip LND150 N-Kanal-Abarmungsmodus-Transistor (normalerweise eingeschaltet) nutzt die seitliche DMOS-Technologie. Das Tor ist ESD-geschützt. Er ist ideal für Hochspannungsanwendungen in den Bereichen Schließer, Präzisions-Konstantstromquellen, Spannungsrampenerzeugung und -verstärkung. Er verfügt über eine Drain-to-Source- und Drain-to-Gate-Spannung von 500 V und einen statischen Drain-to-Source-on-State-Widerstand von 1 kΩ.
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und niedriger CISS
Frei von Blei (Pb)
3-adriges TO-92-Gehäuse
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und niedriger CISS
Frei von Blei (Pb)
3-adriges TO-92-Gehäuse
MOSFET-Transistoren, Microchip
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 30 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
Gehäusegröße | TO-92 |
Serie | LND150 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 1000 Ω |
Channel-Modus | Depletion |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
- RS Best.-Nr.:
- 170-4342
- Herst. Teile-Nr.:
- LND150N3-G
- Marke:
- Microchip
Verwandte Produkte
- Microchip LND150N3-G N-Kanal 3-Pin TO-92
- Microchip DN2535 DN2535N3-G N-Kanal 3-Pin TO-92
- Microchip DN3545 DN3545N3-G N-Kanal 3-Pin TO-92
- Microchip DN2540 DN2540N3-G N-Kanal 3-Pin TO-92
- Microchip DN2530 DN2530N3-G N-Kanal 3-Pin TO-92
- Microchip VN2410L-G 3-Pin TO-92
- Microchip 2N7008 2N7008-G N-Kanal 3-Pin TO-92
- Microchip TP0620N3-G P-Kanal, THT MOSFET 200 V TO-92