- RS Best.-Nr.:
- 170-4348
- Herst. Teile-Nr.:
- DN3545N3-G
- Marke:
- Microchip
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einem Beutel mit 1000)
0,64 €
(ohne MwSt.)
0,76 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Beutel* |
1000 + | 0,64 € | 640,00 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 170-4348
- Herst. Teile-Nr.:
- DN3545N3-G
- Marke:
- Microchip
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus
Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.
Merkmale
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Typische Anwendungen:
Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
Der N-Kanal-Depledmode-Transistor Microchip DN3545 (normalerweise eingeschaltet) nutzt eine Advanced vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind. Er verfügt über eine Drain-to-Source- und Drain-to-Gate-Spannung von 450 V und einen statischen Drain-to-Source-on-State-Widerstand von 35 Ω.
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Frei von Blei (Pb)
3-adriges TO-92-Gehäuse
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Frei von Blei (Pb)
3-adriges TO-92-Gehäuse
MOSFET-Transistoren, Microchip
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 130 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 450 V |
Gehäusegröße | TO-92 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 20 Ω |
Channel-Modus | Depletion |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Serie | DN3545 |
- RS Best.-Nr.:
- 170-4348
- Herst. Teile-Nr.:
- DN3545N3-G
- Marke:
- Microchip
Verwandte Produkte
- Microchip DN2535 DN2535N3-G N-Kanal 3-Pin TO-92
- Microchip DN2540 DN2540N3-G N-Kanal 3-Pin TO-92
- Microchip DN3545N3-G N-Kanal 3-Pin TO-92
- Microchip LND150 LND150N3-G N-Kanal 3-Pin TO-92
- Microchip DN2530 DN2530N3-G N-Kanal 3-Pin TO-92
- Microchip VN2410L-G 3-Pin TO-92
- Microchip 2N7008 2N7008-G N-Kanal 3-Pin TO-92
- Microchip VP0104N3-G P-Kanal, THT MOSFET 40 V TO-92