Infineon IPT015N10N5 IPT015N10N5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

Der Infineon HSOF-8 N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 1,5 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 300 A. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 100 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 375 W. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 6 V bzw. 10 V. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

• 100 % Lawinengeprüft
• Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS-Produkt (ein) (FOM)
• Halogenfrei
• Ideal für hohe Schaltfrequenz
• bleifreie (Pb) Beschichtung
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Optimiert für synchrone Gleichrichtung
• Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
• RDS-Reduzierung (ein) von bis zu 44 %
• Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS (ein)

• Adapter
• Leichte Elektrofahrzeuge
• Niederspannungsantriebe
• Servernetzteile
• Solar
• Telekom

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC