Vishay IRF840APBF N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 178-0835
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF840APBF
- Marke:
- Vishay
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Produktdetails
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
Der Vishay Leistungs-MOSFET verfügt über Qg mit niedriger Gate-Ladung, was zu einem einfachen Treiberbedarf führt und eine verbesserte Gate-, Lawinen- und dynamische dV/dt-Robustheit bietet.
Betriebstemperaturbereich von Verbindung und Lagerung: 55 bis +150 °C.
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 8 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 850 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 125 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Länge | 10.41mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 4.7mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 9.01mm |
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