Vishay Siliconix TrenchFET SiZ348DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 30 A 16,7 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3
- RS Best.-Nr.:
- 178-3702
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZ348DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Produktdetails
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Die High-Side- und die Low-Side-MOSFETs bilden eine optimierte Kombination für 50 % Tastverhältnis
Optimierter RDS – Qg und RDS – Qgd FOM steigert den Wirkungsgrad beim Schalten hoher Frequenzen
Die High-Side- und die Low-Side-MOSFETs bilden eine optimierte Kombination für 50 % Tastverhältnis
Optimierter RDS – Qg und RDS – Qgd FOM steigert den Wirkungsgrad beim Schalten hoher Frequenzen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 30 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3 |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.4V |
| Verlustleistung max. | 16,7 W |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +20 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12,1 nC @ 10 V |
| Breite | 3mm |
| Länge | 3mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 0.75mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
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