Vishay Siliconix TrenchFET SIZF916DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V 26,6 W, 60 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5
- RS Best.-Nr.:
- 178-3705
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF916DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Nicht mehr im Sortiment
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- 178-3705
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF916DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Produktdetails
MERKMALE
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
SkyFET® Low-Side-MOSFET mit integriertem
Schottky
ANWENDUNGEN
CPU-Kern-Leistung
Computer/Server-Peripheriegeräte
POL
Synchroner Abwärtswandler
Telekommunikation DC/DC
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
SkyFET® Low-Side-MOSFET mit integriertem
Schottky
ANWENDUNGEN
CPU-Kern-Leistung
Computer/Server-Peripheriegeräte
POL
Synchroner Abwärtswandler
Telekommunikation DC/DC
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 40 A (Kanal 1), 60 A (Kanal 2) |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Serie | TrenchFET |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 6 x 5 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.4V |
| Verlustleistung max. | 26,6 W, 60 W |
| Gate-Source Spannung max. | +16 V, +20 V, -12 V, -16 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 6mm |
| Länge | 5mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14,6 (Kanal 1) nC bei 10 V; 62 (Kanal 2) nC bei 10 V |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 0.7mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |