Vishay Siliconix TrenchFET SQJ481EP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 16 A 45 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 178-3719
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ481EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
- RS Best.-Nr.:
- 178-3719
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ481EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Vishay MOSFET
Der Vishay N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 80 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 45 W und einen Dauerstrom von 16 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V und 10 V. Er wird in Kfz-Anwendungen eingesetzt. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Zertifizierungen
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 16 A |
Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
Gehäusegröße | PowerPAK SO-8L |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 90 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V |
Verlustleistung max. | 45 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
Länge | 5.99mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 5mm |
Höhe | 1.07mm |
Automobilstandard | AEC-Q101 |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Serie | TrenchFET |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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