- RS Best.-Nr.:
- 178-3912
- Herst. Teile-Nr.:
- SiA110DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 178-3912
- Herst. Teile-Nr.:
- SiA110DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 12 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | SC-70 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 19 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 2.2mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 1.35mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,5 nC @ 10 V |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Serie | TrenchFET |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 1mm |