Vishay Siliconix TrenchFET SiA110DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 12 A 19 W, 6-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 178-3912
- Herst. Teile-Nr.:
- SiA110DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 178-3912
- Herst. Teile-Nr.:
- SiA110DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 12 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | SC-70 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 6 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 19 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 2.2mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 1.35mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,5 nC @ 10 V |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Serie | TrenchFET |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1mm |