Vishay Siliconix TrenchFET SiRA12BDP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 60 A 38 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 178-3914
- Herst. Teile-Nr.:
- SiRA12BDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 178-3914
- Herst. Teile-Nr.:
- SiRA12BDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Produktdetails
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 60 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Serie | TrenchFET |
| Gehäusegröße | SO-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.4V |
| Verlustleistung max. | 38 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 5mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 5.99mm |
| Höhe | 1.07mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |