Vishay Siliconix TrenchFET SQM40022E_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A 150 W, 3 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 178-3936
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM40022E_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Nicht mehr im Sortiment
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- 178-3936
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM40022E_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- TW
Produktdetails
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 150 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 + Tab |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V |
| Verlustleistung max. | 150 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Länge | 10.67mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Breite | 4.83mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 11.3mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |