OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal MOSFET, 60 V / 300 A, 375 W, HSOF 8-Pin

  • RS Best.-Nr. 178-7451
  • Herst. Teile-Nr. IPT007N06NATMA1
  • Marke Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 300 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Drain-Source-Widerstand max. 1 mΩ
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße HSOF
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 375 W
Transistor-Werkstoff Si
Breite 10.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. –55 °C
Höhe 2.4mm
Serie OptiMOS 5
Betriebstemperatur max. +175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 216 nC @ 10 V
Länge 10.58mm
Diodendurchschlagsspannung 1V
Voraussichtlich ab 13.05.2020 verfügbar.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 2000)
2,688
(ohne MwSt.)
3,199
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +
2,688 €
5.376,00 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.