onsemi NTMJS1D0N04CTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 300 A 166 W, 8-Pin LFPAK8

RS Best.-Nr.:: 189-0259
Herst. Teile-Nr.:: NTMJS1D0N04CTWG
Marke:: onsemi

onsemi NTMJS1D0N04CTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 300 A 166 W, 8-Pin LFPAK8

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Produktdetails

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
LFPAK-E-Gehäuse, Industriestandard
Diese Geräte sind bleifrei

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	300 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	LFPAK8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	920 μΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	166 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.9mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	86 nC bei 10 V
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	1.2mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

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Herst. Teile-Nr.:: NTMJS1D0N04CTWG
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