Vishay EF SIHP125N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 16 A, 25 A., 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 200-6816
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP125N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Voraussichtlich ab 19.08.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 50)
3,896 €
(ohne MwSt.)
4,636 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 50 - 50 | 3,896 € | 194,80 € |
| 100 - 200 | 3,663 € | 183,15 € |
| 250 + | 3,312 € | 165,60 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 200-6816
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP125N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay SIHP125N60EF-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.
Technologie der 4. Generation der E-Serie
Niedrige Leistungszahl
Niedrige effektive Kapazität
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)
Niedrige Leistungszahl
Niedrige effektive Kapazität
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 16 A, 25 A. |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,125 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Serie | EF |
Verwandte Produkte
- Vishay EF-Series SIHP15N80AEF-GE3 N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Vishay E SIHP690N60E-GE3 N-Kanal 6 3-Pin TO-220AB
- Vishay EF SIHP186N60EF-GE3 N-Kanal 18 A., 3-Pin TO-220AB
- Vishay EF SiHP105N60EF-GE3 N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Vishay E Series SiHP080N60E-GE3 N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- Vishay SIHP25N40D-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 25 A TO-220AB
- Vishay SIHP085N60EF-GE3 N-Kanal Dual 3-Pin TO-220AB
- Vishay SIHP150N60E-GE3 N-Kanal Dual 3-Pin TO-220AB