Vishay TrenchFET® Gen IV SIJ150DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 11 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L

RS Best.-Nr.:: 200-6843
Herst. Teile-Nr.:: SIJ150DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET® Gen IV SIJ150DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 11 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L

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250 - 600	0,889 €	22,225 €
625 - 1225	0,838 €	20,95 €
1250 +	0,722 €	18,05 €
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Document- SIJ150DP-T1-GE3

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Produktdetails

Der Vishay SIJ150DP-T1-GE3 ist ein N-Kanal-45-V-(D-S)-MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedrige Qg und Qoss reduzieren den Leistungsverlust und verbessern die Effizienz
Flexible Leitungen sorgen für Widerstandsfähigkeit gegen mechanische Beanspruchung
100 % Rg- und UIS-getestet
Qgd/Qgs-Verhältnis 1 optimiert die Schalteigenschaften

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	45 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8L
Serie	TrenchFET® Gen IV
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	0,0041 Ω, 0,00283 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.3V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

RS Best.-Nr.:: 200-6843
Herst. Teile-Nr.:: SIJ150DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

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Vishay TrenchFET® Gen IV SIJ150DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 11 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L

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