SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal MOSFET, 600 V / 120 mA, 1,8 W, SOT-223 3 + Tab-Pin

  • RS Best.-Nr. 354-5708
  • Herst. Teile-Nr. BSP135H6327XTSA1
  • Marke Infineon
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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 120 mA
Drain-Source-Spannung max. 600 V
Gehäusegröße SOT-223
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3 + Tab
Drain-Source-Widerstand max. 60 Ω
Channel-Modus Depletion
Gate-Schwellenspannung max. 1V
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V
Verlustleistung max. 1,8 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Höhe 1.6mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Länge 6.5mm
Breite 3.5mm
Transistor-Werkstoff Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs 3,7 nC @ 5 V
Serie SIPMOS
Betriebstemperatur max. +150 °C
54 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
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Preis pro: Stück
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(ohne MwSt.)
2,39
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 9
2,06 €
10 - 49
1,87 €
50 - 99
1,71 €
100 - 499
1,60 €
500 +
1,48 €
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