STripFET II STP75NF75 N-Kanal MOSFET, 75 V / 80 A, 300 W, TO-220 3-Pin

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Produktdetails

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 80 A
Drain-Source-Spannung max. 75 V
Drain-Source-Widerstand max. 11 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße TO-220
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 300 W
Gate-Ladung typ. @ Vgs 117 nC bei 10 V
Betriebstemperatur min. -55 °C
Transistor-Werkstoff Si
Breite 4.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Höhe 9.15mm
Serie STripFET II
Betriebstemperatur max. +175 °C
Länge 10.4mm
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